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【重點政策】江蘇無錫發(fā)布《無錫市強化企業(yè)科技創(chuàng)新主體地位行動方案》，不斷提升半導(dǎo)體科技創(chuàng)新孵化能力

　　4月2日，在江蘇省無錫市人民政府舉行的新聞發(fā)布會上，無錫市人民政府辦公室正式發(fā)布《無錫市強化企業(yè)科技創(chuàng)新主體地位行動方案》（以下簡稱《行動方案》）。

　　《行動方案》重點提出，以新建成投用科創(chuàng)載體為重點，圍繞人工智能、量子科技、第三代半導(dǎo)體、合成生物等我市未來產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域，強化專業(yè)團隊引領(lǐng)、專業(yè)平臺支撐、專業(yè)基金賦能，支持科技領(lǐng)軍企業(yè)、高校院所、投資機構(gòu)等主體建設(shè)一批專業(yè)化程度高、孵化成效好、產(chǎn)業(yè)帶動性大、示范引領(lǐng)性強的標桿型眾創(chuàng)空間與孵化器。支持具備較好科技產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)的各類開發(fā)區(qū)、科技新城、科創(chuàng)片區(qū)，立足自身資源稟賦，高標準建設(shè)一批集創(chuàng)新、創(chuàng)業(yè)、產(chǎn)業(yè)、文化和社區(qū)等功能有機融合的科創(chuàng)綜合體。到2027年，新增市級以上眾創(chuàng)空間、科技企業(yè)孵化器200家、省級以上科技企業(yè)孵化器20家，建成10家地標型科創(chuàng)綜合體。

　　【重點事件】晶存科技存儲芯片制造總部項目落戶中山三鄉(xiāng)

　　4月3日，深圳市晶存科技有限公司（以下簡稱“晶存科技”）、三鄉(xiāng)鎮(zhèn)人民政府、中山市投資控股集團有限公司（以下簡稱“中山投控”）在三鄉(xiāng)鎮(zhèn)政府舉行晶存科技存儲芯片制造總部項目簽約儀式。接下來，晶存科技將投資超10億元在中山市半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園建設(shè)存儲芯片測試線和先進封裝工藝線，該項目也將成為晶存科技存儲芯片制造總部項目。

　　對晶存科技而言，這一定位未來的總部項目落地，意味著企業(yè)聚焦集中化、智能化打造一個年產(chǎn)值50億元的生產(chǎn)總部。

　　對中山而言，晶存科技的重磅布局，不僅能促進三鄉(xiāng)當?shù)氐漠a(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級，更能憑借其深厚的技術(shù)和行業(yè)積累，吸引更多產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)和優(yōu)秀人才，進而助推半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)與創(chuàng)新資源集聚，助力中山打造新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)集群，發(fā)展新質(zhì)生產(chǎn)力。

　　【重點事件】惠然科技半導(dǎo)體量測設(shè)備總部項目落地無錫濱湖

　　4月1日，惠然科技半導(dǎo)體量測設(shè)備總部項目正式簽約落地濱湖。該項目由惠然科技有限公司投資，包含公司總部、上市主體以及新設(shè)立的半導(dǎo)體量測設(shè)備研發(fā)生產(chǎn)基地，總投建金額達10億元，將為濱湖乃至無錫深化集成電路產(chǎn)業(yè)鏈布局、健全集成電路產(chǎn)業(yè)“生態(tài)圈”注入新動能。

　　【重點事件】長春經(jīng)開光電信息產(chǎn)業(yè)園二期項目預(yù)計6月竣工

　　4月2日，長春新聞報道，長春經(jīng)開光電信息產(chǎn)業(yè)園二期項目產(chǎn)業(yè)孵化大廈的外墻裝飾工作已經(jīng)基本完成，室內(nèi)裝飾正在同步施工。相關(guān)負責人透露，項目預(yù)計今年6月竣工，主要承載CMOS圖像傳感器產(chǎn)業(yè)集群發(fā)展及孵化，助力長春市光電產(chǎn)業(yè)集群式發(fā)展。

　　據(jù)了解，長春光電信息產(chǎn)業(yè)園是由中國科學院長春光機所牽頭，在長春市人民政府、長春經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)管理委員會支持下建設(shè)的專業(yè)化特色科技產(chǎn)業(yè)園。目前，長春經(jīng)開區(qū)光電信息產(chǎn)業(yè)園區(qū)一期項目已經(jīng)建成投入使用，二期項目占地21000平方米，總投資11.4億元。投用后，主要承載CMOS圖像傳感器產(chǎn)業(yè)集群發(fā)展及孵化，將圍繞長光辰芯、長光華大、長光正圓等頭部企業(yè)的上下游企業(yè)進行精準招商，進一步打造光電信息產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)，助力長春市新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展和轉(zhuǎn)型升級。

　　【重點技術(shù)】華東理工大學自主研發(fā)通用晶體生長技術(shù)，國內(nèi)新型半導(dǎo)體材料庫進一步豐富

　　4月6日，華東理工大學宣布，校內(nèi)清潔能源材料與器件團隊自主研發(fā)了一種鈣鈦礦單晶晶片通用生長技術(shù)，將晶體生長周期由7天縮短至1.5天，實現(xiàn)了30余種金屬鹵化物鈣鈦礦半導(dǎo)體的低溫、快速、可控制備，為新一代高性能光電子器件提供了豐富的材料庫。相關(guān)成果發(fā)表于國際學術(shù)期刊《自然·通訊》。

　　【重點技術(shù)】北京大學申請半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)專利，實現(xiàn)源漏互連時的自對準

　　4月6日，國家知識產(chǎn)權(quán)局公告顯示，北京大學申請一項名為“半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體器件”的專利，公開號CN117832173A，申請日期為2023年12月。

　　專利摘要顯示，本申請?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體器件，上述方法包括：提供一形成有鰭狀結(jié)構(gòu)的襯底；其中，鰭狀結(jié)構(gòu)包括在第一方向上排布的器件區(qū)和場區(qū)；去除鰭狀結(jié)構(gòu)中位于場區(qū)的第一部分，保留場區(qū)的第二部分；基于鰭狀結(jié)構(gòu)的上部，形成第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括第一源漏結(jié)構(gòu)、第一源漏金屬和第一層間介質(zhì)層；倒片并去除襯底，以暴露鰭狀結(jié)構(gòu)的下部；去除場區(qū)的第二部分，以暴露第一層間介質(zhì)層；基于鰭狀結(jié)構(gòu)的下部，形成第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括第二源漏結(jié)構(gòu)、第二源漏金屬和第二層間介質(zhì)層；第一層間介質(zhì)層和第二層間介質(zhì)層中形成有互連通孔結(jié)構(gòu)；互連通孔結(jié)構(gòu)與第一源漏金屬、第二源漏金屬連接。

　　【重點技術(shù)】華中科技大學與九峰山實驗室聯(lián)合突破光刻膠技術(shù)瓶頸

　　4月2日，據(jù)湖北九峰山實驗室官方消息，九峰山實驗室與華中科技大學組成的聯(lián)合研究團隊在光刻膠技術(shù)領(lǐng)域取得了重大突破，成功研發(fā)出“雙非離子型光酸協(xié)同增強響應(yīng)的化學放大光刻膠”技術(shù)。

　　光刻膠是半導(dǎo)體制造過程中不可或缺的關(guān)鍵材料，其質(zhì)量和性能直接影響到集成電路的電性、成品率及可靠性等核心指標。然而，長期以來，能夠滿足工藝穩(wěn)定性高、工藝寬容度大、普適性強的光刻膠產(chǎn)品并不多見，這成為了制約我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進一步發(fā)展的瓶頸之一。

　　華中科技大學與九峰山實驗室的聯(lián)合研究團隊，通過巧妙的化學結(jié)構(gòu)設(shè)計，構(gòu)建出新型的雙非離子型光酸協(xié)同增強響應(yīng)的化學放大光刻膠。這種光刻膠通過兩種光敏單元的協(xié)同作用，實現(xiàn)了光酸的快速生成和高效催化，從而實現(xiàn)了高精度、高分辨率的圖案轉(zhuǎn)移。

　　目前，這項技術(shù)的研發(fā)成果已經(jīng)在國際頂級期刊《化學工程雜志》上發(fā)表，并獲得了國家自然科學基金和973計劃的共同資助。

　　華中科技大學與九峰山實驗室的這次聯(lián)合突破，不僅展示了我國科研團隊在光刻膠技術(shù)領(lǐng)域的深厚積累和創(chuàng)新能力，也為我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提供了新的技術(shù)支撐。未來，隨著這項技術(shù)的進一步推廣和應(yīng)用，相信將有力推動我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向更高水平邁進，為國家的科技進步和經(jīng)濟發(fā)展做出更大的貢獻。

　　【重點企業(yè)】鑫威源大功率藍光半導(dǎo)體激光器產(chǎn)業(yè)化項目竣工

　　4月1日，鑫威源大功率藍光半導(dǎo)體激光器產(chǎn)業(yè)化項目竣工儀式在大橋智能制造產(chǎn)業(yè)園舉行。

　　據(jù)悉，大功率藍光半導(dǎo)體激光器產(chǎn)業(yè)化項目由武漢鑫威源電子科技有限公司總投資10億元打造，廠房面積一萬余平方米，主要建設(shè)基于半導(dǎo)體化合物（GaN）技術(shù)的大功率藍光半導(dǎo)體激光器生產(chǎn)線。目前，已完成廠房及配套裝修，正在進行各類設(shè)備儀器調(diào)試，計劃2025年1月正式投產(chǎn)。

　　資料顯示，鑫威源是新興光電子行業(yè)高科技企業(yè)，主要圍繞大功率藍光半導(dǎo)體激光器相關(guān)材料、芯片、封裝及產(chǎn)品的設(shè)計、研發(fā)、制造與銷售。上述項目投產(chǎn)后，將彌補國內(nèi)高端光器件研發(fā)及生產(chǎn)領(lǐng)域的不足，解決我國在關(guān)鍵技術(shù)領(lǐng)域的“卡脖子”問題，為國產(chǎn)替代做出重要貢獻，具有顯著的經(jīng)濟與社會效益。

　　【重點企業(yè)】偉測科技擬發(fā)行不超11.75億可轉(zhuǎn)債

　　4月2日，偉測科技發(fā)布公告稱，公司擬向不特定對象發(fā)行可轉(zhuǎn)債募資不超過11.75億元，扣除發(fā)行費用后用于偉測半導(dǎo)體無錫集成電路測試基地項目、偉測集成電路芯片晶圓級及成品測試基地項目、償還銀行貸款及補充流動資金。

　　根據(jù)公告，偉測科技本次募投項目主要用于現(xiàn)有主營業(yè)務(wù)集成電路測試業(yè)務(wù)的產(chǎn)能擴充，重點擴充“高端芯片測試”和“高可靠性芯片測試”的產(chǎn)能，提高公司集成電路測試服務(wù)的效率和交付能力，有利于優(yōu)化公司收入結(jié)構(gòu)，增強公司在芯片測試領(lǐng)域的市場競爭力，提高公司市場份額。

　　【重點企業(yè)】星思半導(dǎo)體完成超5億元B輪融資，持續(xù)關(guān)注低軌衛(wèi)星通信領(lǐng)域

　　4月7日，星思半導(dǎo)體完成超5億元B輪融資，本輪投資方包括中電數(shù)據(jù)基金、鼎暉香港基金、藍盾光電、華創(chuàng)資本、朗潤利方、興鼎基金、浙江雷可澳等，老股東沃賦創(chuàng)投繼續(xù)追加投資。星思半導(dǎo)體是一家平臺型基帶芯片設(shè)計企業(yè)，本輪融資完成后，公司將繼續(xù)加大在低軌衛(wèi)星通信領(lǐng)域全套解決方案的投入，保障和支撐衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)重大戰(zhàn)略項目。

　　【重點企業(yè)】安建半導(dǎo)體完成超2億元C輪融資，不斷加大產(chǎn)品技術(shù)研發(fā)

　　4月7日，安建半導(dǎo)體完成超2億元C輪融資。本輪融資由北京國管順禧基金及中航投資領(lǐng)投，龍鼎投資、一元航天及萬創(chuàng)投資跟投。募集資金將主要用于開發(fā)及量產(chǎn)汽車級IGBT與SiC MOS產(chǎn)品平臺；擴建汽車級IGBT及SiC模塊封裝產(chǎn)線；擴充銷售及其他人才團隊；增加營運現(xiàn)金流儲備等。

　　【重點企業(yè)】科友和俄羅斯N公司達成合作，開展“完美八英寸碳化硅籽晶”項目

　　4月3日，科友半導(dǎo)體宣布，公司于3月27日與俄羅斯N公司在哈爾濱簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，開展“八英寸碳化硅完美籽晶”的項目合作。據(jù)稱，俄羅斯N公司在晶體缺陷密度控制方面有著豐富的研究經(jīng)驗，在相關(guān)領(lǐng)域發(fā)表高水平文章及期刊百余篇。

　　科友半導(dǎo)體表示，通過與俄羅斯N公司的合作，他們將研發(fā)獲得“無微管，低位錯”完美籽晶，應(yīng)用品質(zhì)優(yōu)異的籽晶進行晶體生長，會進一步大幅降低8英寸碳化硅晶體內(nèi)部的微管、位錯等缺陷密度，從而提高晶體生長的質(zhì)量和良率，并推動碳化硅長晶爐體及工藝技術(shù)的優(yōu)化與升級。

　　此前，科友半導(dǎo)體8英寸SiC中試線平均長晶良率已突破50%，晶體厚度15mm以上。2022年底，科友半導(dǎo)體在通過自主設(shè)計制造的電阻長晶爐產(chǎn)出直徑超過8英寸的SiC單晶，晶體表面光滑無缺陷。此外，在今年3月，科友半導(dǎo)體成功拿下了超2億元的出口歐洲SiC長訂單，首批產(chǎn)品將在4月交付；并且順利通過“國際汽車特別工作組質(zhì)量管理體系”（IATF16949）認證，進軍新能源汽車芯片襯底市場。

　　【重點企業(yè)】天科合達北京工廠招標8英寸量產(chǎn)設(shè)備

　　4月2日中國國際招標網(wǎng)公布信息顯示，天科合達北京基地正在招標8英寸襯底量產(chǎn)線設(shè)備，包含加工產(chǎn)線的倒角-拋光-研磨-清洗及各類測試設(shè)備等產(chǎn)品。表明天科合達將進一步布局8英寸量產(chǎn)產(chǎn)能。據(jù)悉，在今年3月20日舉行的SEMICON China 2024展會上，天科合達就已經(jīng)展出了公司的8英寸導(dǎo)電襯底（500um），8英寸導(dǎo)電襯底(350um)和8英寸的外延片產(chǎn)品。天科合達表示公司將打造襯底+外延的一體化解決方案，提供豐富的產(chǎn)品組合，為客戶提供更全面的保障和服務(wù)。

　　【重點企業(yè)】江豐電子與韓國牙山市政府成功簽約，共建現(xiàn)代化半導(dǎo)體材料生產(chǎn)基地

　　4月2日，江豐電子宣布，公司與韓國牙山市政府成功簽署了投資合作協(xié)議，計劃投資3.5億元在牙山市新建一座現(xiàn)代化的半導(dǎo)體靶材生產(chǎn)工廠。這一合作協(xié)議的簽署標志著雙方在半導(dǎo)體領(lǐng)域的合作正式進入實質(zhì)性階段。建成后的工廠將專注于高端半導(dǎo)體靶材的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，致力于提供高品質(zhì)、高性能的半導(dǎo)體材料。

　　【重點事件】臺積電將與日本九州大學簽訂諒解備忘錄，共同培育半導(dǎo)體人才

　　4月1日消息，臺積電與日本九州大學雙方計劃于本月就半導(dǎo)體領(lǐng)域的廣泛合作簽署諒解備忘錄。根據(jù)即將簽署的諒解備忘錄內(nèi)容，臺積電將向九州大學的“價值創(chuàng)造型半導(dǎo)體人才育成中心”派遣研究人員授課，以解決該領(lǐng)域的人才短缺問題。雙方還將考慮在未來開展聯(lián)合研究。